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Temperature Dependence of Gain Characteristics in 1.3-µm AlGaInAs/InP Strained Multiple-Quantum-Well Semiconductor Lasers Dependência da temperatura das características de ganho em lasers semicondutores de múltiplos poços quânticos tensos de AlGaInAs/InP de 1.3 µm

Toshio HIGASHI, Tsuyoshi YAMAMOTO, Tsutomu ISHIKAWA, Takuya FUJII, Haruhisa SODA, Minoru YAMADA

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Resumo:

Medimos a dependência da temperatura das características de ganho em lasers semicondutores de múltiplos poços quânticos (MQW) de 1.3 µm AlGaInAs / InP tensos usando o método Hakki-Paoli. Medindo as dependências da temperatura do valor de ganho de pico e do comprimento de onda do pico de ganho, avaliamos as dependências de temperatura da corrente limite e do comprimento de onda de oscilação, respectivamente. A pequena dependência da temperatura da corrente limite nos lasers AlGaInAs/InP é causada pela pequena dependência da temperatura da densidade de corrente de transparência, que é representada pela temperatura característica TJtr de 116 K. Em AlGaInAs/InP alta T0 lasers, a dependência da temperatura do comprimento de onda de oscilação é ligeiramente maior do que a dos lasers GaInAsP / InP devido à maior dependência da temperatura do comprimento de onda do bandgap 0.55 nm / K.

Publicação
IEICE TRANSACTIONS on Communications Vol.E84-B No.5 pp.1274-1281
Data de publicação
2001/05/01
Publicitada
ISSN online
DOI
Tipo de Manuscrito
Special Section PAPER (Joint Special Issue on Recent Progress in Optoelectronics and Communications)
Categoria
Dispositivos e módulos ópticos ativos

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