A funcionalidade de pesquisa está em construção.
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A Low Distortion and Low Noise Differential Amplifier Suitable for 3G LTE Applications Using the Even- and Odd-Mode Impedance Differences of a Bias Circuit Um amplificador diferencial de baixa distorção e baixo ruído adequado para aplicações 3G LTE usando as diferenças de impedância nos modos par e ímpar de um circuito de polarização

Toshifumi NAKATANI, Koichi OGAWA

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Resumo:

É proposto um amplificador diferencial de baixa distorção e baixo ruído usando a diferença entre as impedâncias dos modos par e ímpar. Para realizar um amplificador com características de alto OIP3 e baixo NF, a impedância do circuito de polarização deve ser baixa (<300 Ω) na frequência de diferença e alta (>4 kΩ) na frequência da portadora. Embora a resposta de frequência da impedância do circuito de polarização só possa atender a essas condições com dificuldade, devido à largura de banda do sinal Tx de 20 MHz para 3G LTE, o amplificador proposto pode atingir a diferença de impedância usando as propriedades de uma configuração diferencial onde o sinal de frequência de diferença é o modo par e a frequência portadora é o modo ímpar. Foi demonstrado que o NF do amplificador proposto, que foi fabricado em tecnologia SiGe BiCMOS de 0.18 µm operando a 2.14 GHz, pode ser mantido em 1.6 dB ou menos e um OIP3 de 9.0 dBm pode ser alcançado, que é 3 dB maior. do que um amplificador convencional, na condição em que o ganho de potência é superior a 18 dB.

Publicação
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E91-C No.6 pp.844-853
Data de publicação
2008/06/01
Publicitada
ISSN online
1745-1353
DOI
10.1093/ietele/e91-c.6.844
Tipo de Manuscrito
Special Section PAPER (Special Section on Analog Circuits and Related SoC Integration Technologies)
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