A funcionalidade de pesquisa está em construção.
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A GaAs SOI HEMT Fabricated by Fluidic Self-Assembly and Its Application to an RF-Switch Um GaAs SOI HEMT fabricado por automontagem fluídica e sua aplicação a um switch RF

Koichi MAEZAWA, Ikuo SOGA, Shigeru KISHIMOTO, Takashi MIZUTANI, Kazuhiro AKAMATSU

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Resumo:

A integração heterogênea de HEMTs de GaAs em um substrato cerâmico de AlN coberto com poliimida foi demonstrada usando uma técnica de automontagem fluídica (FSA). Usamos blocos de dispositivos finos para o FSA, que apresentam várias vantagens. Em particular, eles podem reduzir a capacitância da fonte de drenagem Cds dos HEMTs montados se o substrato tiver uma constante dielétrica baixa. Este é um novo tipo de tecnologia de semicondutor sobre isolante (SOI). As propriedades dc e RF dos GaAs HEMTs no substrato poliimida/AlN foram estudadas e a redução de Cds foi confirmado. Esta técnica foi aplicada com sucesso ao switch SPDT, onde um baixo Cds é essencial para um bom isolamento.

Publicação
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E91-C No.7 pp.1025-1030
Data de publicação
2008/07/01
Publicitada
ISSN online
1745-1353
DOI
10.1093/ietele/e91-c.7.1025
Tipo de Manuscrito
Special Section PAPER (Special Section on Heterostructure Microelectronics with TWHM 2007)
Categoria
Nova tecnologia de integração

autores

Palavra-chave