A funcionalidade de pesquisa está em construção.
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Current Status and Future Prospects of SiC Power JFETs and ICs Status atual e perspectivas futuras de JFETs e ICs de SiC Power

Jian H. ZHAO, Kuang SHENG, Yongxi ZHANG, Ming SU

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Resumo:

Este artigo revisará o desenvolvimento de dispositivos de potência de SiC, especialmente transistores de efeito de campo de junção de potência de SiC (JFETs). Serão apresentadas justificativas e diferentes abordagens para o desenvolvimento de JFETs de potência de SiC, com foco em JFETs de potência normalmente desligados que podem fornecer o altamente desejado recurso de salvamento de falhas para aplicações confiáveis ​​de comutação de energia. Novos resultados para a primeira demonstração de SiC Power ICs serão apresentados e o potencial para conversores de energia CC-CC distribuídos em frequências superiores a 35 MHz será discutido.

Publicação
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E91-C No.7 pp.1031-1041
Data de publicação
2008/07/01
Publicitada
ISSN online
1745-1353
DOI
10.1093/ietele/e91-c.7.1031
Tipo de Manuscrito
Special Section INVITED PAPER (Special Section on Heterostructure Microelectronics with TWHM 2007)
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