A funcionalidade de pesquisa está em construção.
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RF Equivalent-Circuit Analysis of p-Type Diamond Field-Effect Transistors with Hydrogen Surface Termination Análise de circuito equivalente de RF de transistores de efeito de campo de diamante tipo p com terminação de superfície de hidrogênio

Makoto KASU, Kenji UEDA, Hiroyuki KAGESHIMA, Yoshiharu YAMAUCHI

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Resumo:

Com base nas características de RF dos transistores de efeito de campo de diamante tipo p (FETs) com terminação de superfície de hidrogênio, estabelecemos um modelo de circuito equivalente (EQC). A partir de comparações de três casos, revelamos que para representar o desempenho do dispositivo no EQC, a resistência da fonte, da porta e do dreno deve ser considerada, mas que a resistência da porta-fonte e da porta-dreno pode ser ignorada. As características dos FETs de diamante são (1) um platô da capacitância da porta em uma determinada faixa de tensão da porta. (2) máximo fT e fMAX frequências de corte próximas à tensão limite da porta e (3) uma alta fMAX/fT relação 3.8. Discutimos essas características em termos da barreira de energia entre o metal da porta e o canal do furo bidimensional e a região de deriva abaixo da porta.

Publicação
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E91-C No.7 pp.1042-1049
Data de publicação
2008/07/01
Publicitada
ISSN online
1745-1353
DOI
10.1093/ietele/e91-c.7.1042
Tipo de Manuscrito
Special Section PAPER (Special Section on Heterostructure Microelectronics with TWHM 2007)
Categoria
Dispositivos de banda larga

autores

Palavra-chave