A funcionalidade de pesquisa está em construção.
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A Test Structure for Asymmetry and Orientation Dependence Analysis of CMOSFETs Uma estrutura de teste para análise de assimetria e dependência de orientação de CMOSFETs

Toshihiro MATSUDA, Yuya SUGIYAMA, Keita NOHARA, Kazuhiro MORITA, Hideyuki IWATA, Takashi OHZONE, Takayuki MORISHITA, Kiyotaka KOMOKU

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Resumo:

É apresentada uma estrutura de teste para analisar a assimetria e dependência de orientação de MOSFETs. n-MOSFETs com 8 orientações de canal diferentes e três tipos de condições de processo foram medidos e características de simetria de IDsat e euBmax no que diz respeito ao intercâmbio de fonte e dreno foi examinado. Embora tanto euDsat e euBmax têm dependência de orientação de canal semelhante, euBmax em medições S/D intercambiadas apresenta características assimétricas, que podem ser aplicadas a um método sensível para detecção de assimetria de dispositivos.

Publicação
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E91-C No.8 pp.1331-1337
Data de publicação
2008/08/01
Publicitada
ISSN online
1745-1353
DOI
10.1093/ietele/e91-c.8.1331
Tipo de Manuscrito
Special Section PAPER (Special Section on Microelectronic Test Structures (ICMTS2007))
Categoria

autores

Palavra-chave