A funcionalidade de pesquisa está em construção.
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A CMOS Low Dropout Regulator with Extended Stable Region for the Effective Series Resistance of the Output Capacitor Um regulador CMOS de baixa queda com região estável estendida para a resistência em série efetiva do capacitor de saída

Hsuan-I PAN, Chern-Lin CHEN

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Resumo:

Neste artigo, um novo esquema de compensação e uma estrutura de elemento de passagem correspondente para um regulador CMOS de baixa queda (LDO) são apresentados. A abordagem proposta alivia efetivamente a estrita restrição de estabilidade na ESR do capacitor de saída. A estabilidade de um CMOS LDO com a compensação convencional requer a resistência efetiva em série (ESR) do capacitor de saída em uma região semelhante a um túnel. Com a abordagem de projeto proposta, um LDO pode ser estável usando um capacitor de saída sem ESR. Um LDO de 2.5 V/150 mA foi implementado usando um processo CMOS 0.5P1M de 2 µm. Os resultados experimentais ilustram que o LDO proposto é estável com um capacitor de saída de 0.33 µF e sem ESR.

Publicação
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E91-C No.8 pp.1356-1364
Data de publicação
2008/08/01
Publicitada
ISSN online
1745-1353
DOI
10.1093/ietele/e91-c.8.1356
Tipo de Manuscrito
PAPER
Categoria
Circuitos eletrônicos

autores

Palavra-chave