A funcionalidade de pesquisa está em construção.
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Peculiar Patterns of SiO2 Contamination on the Contact Surface of a Micro Relay Operated in a Silicone Vapor Environment Padrões peculiares de SiO2 Contaminação na superfície de contato de um microrrelé operado em ambiente de vapor de silicone

Terutaka TAMAI

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Resumo:

Padrões peculiares de SiO2 contaminação ao redor da periferia do traço de contato causada por vapor de silicone sob comutação no limite de 1.6 W foi confirmada. Para microrrelés, as condições de alimentação elétrica são restritas ao nível inferior. Portanto, é importante verificar o limite superior das condições de energia elétrica para operação normal. O padrão peculiar é importante porque é reconhecido como o primeiro estágio da origem da falha de contato. As causas desse padrão foram discutidas do ponto de vista da distribuição de temperatura no traço de contato, ponte metálica fundida, descarga de microarco e fornecimento de vapor de silicone com oxigênio. Propõe-se que durante os contatos de fechamento, como o aquecimento Joule máximo ocorre na periferia da área de contato real e o vapor de silicone com oxigênio é facilmente fornecido na periferia, SiO2 cresce em torno do traço de contato. Para os contatos de abertura, conforme surge a ponte ou microarco, o vapor de silicone com oxigênio é fornecido apenas fora dos contatos. Assim SiO2 é formado principalmente em torno da periferia do traço. Além disso, SiO2 foi espalhado radialmente dependendo da pulverização catódica do metal fundido sob a ruptura da ponte. Portanto, o padrão peculiar se forma como resultado.

Publicação
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E82-C No.1 pp.81-85
Data de publicação
1999/01/25
Publicitada
ISSN online
DOI
Tipo de Manuscrito
Special Section LETTER (Special Issue on Electromechanical Devices and Their Materials)
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