A funcionalidade de pesquisa está em construção.
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High Performance InP/InGaAs HBTs for 40-Gb/s Optical Transmission ICs HBTs InP/InGaAs de alto desempenho para CIs de transmissão óptica de 40 Gb/s

Hiroshi MASUDA, Kiyoshi OUCHI, Akihisa TERANO, Hideyuki SUZUKI, Koichi WATANABE, Tohru OKA, Hirokazu MATSUBARA, Tomonori TANOUE

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Resumo:

Desenvolvemos uma técnica de fabricação para transistores bipolares de heterojunção (HBTs) InP/InGaAs de alto desempenho e alta estabilidade térmica para uso em CIs de 40 Gb/s. A estrutura do eletrodo emissor em forma de T do HBT simplifica o processo de fabricação e permite alta controlabilidade do espaçamento entre o emissor e os eletrodos de base. Uma base altamente dopada com C, cultivada por MBE de fonte de gás, e um novo sistema metálico à base de Pt resulta em uma baixa resistência de base. Um subcoletor InP suprime o desvio térmico de HBTs em altas correntes de coletor melhor do que um subcoletor InGaAs convencional. Usando essas técnicas, fabricamos um HBT de altíssimo desempenho com uma frequência de corte extremamente alta fT de 235 GHz. As medições de RF mostram que a corrente do coletor no pico da frequência de corte é inversamente proporcional à espessura do coletor. Também fabricamos um divisor estático de 1/2 frequência, que pode ser usado para sistemas de transmissão óptica de 40 Gb/s, operando até 44 GHz. Este divisor confirmou que o HBT desenvolvido é aplicável a ICs de transmissão óptica de 40 Gb/s.

Publicação
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E82-C No.3 pp.419-427
Data de publicação
1999/03/25
Publicitada
ISSN online
DOI
Tipo de Manuscrito
Special Section INVITED PAPER (Special Issue on Ultra-High-Speed IC and LSI Technology)
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