A funcionalidade de pesquisa está em construção.
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Characterization of Extrinsic Oxide Breakdown on Thin Dielectric Oxide Caracterização da decomposição de óxido extrínseco em óxido dielétrico fino

Katsuya SHIGA, Junko KOMORI, Masafumi KATSUMATA, Akinobu TERAMOTO, Yoji MASHIKO

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Resumo:

É proposto um novo método usando uma nova estrutura de teste, que está conectada a 15.4 milhões de transistores MOS, para avaliar a degradação do óxido extrínseco. A área da porta ativa necessária para prever a confiabilidade será mostrada. E ao usar este novo método, é obtida energia de ativação não apenas para a quebra intrínseca, mas também para a quebra extrínseca.

Publicação
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E82-C No.4 pp.589-592
Data de publicação
1999/04/25
Publicitada
ISSN online
DOI
Tipo de Manuscrito
Special Section PAPER (Special Issue on Microelectronic Test Structures)
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