A funcionalidade de pesquisa está em construção.
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A Study on Hot-Carrier-Induced Photoemission in n-MOSFETs Um estudo sobre fotoemissão induzida por portadora quente em n-MOSFETs

Toshihiro MATSUDA, Naoko MATSUYAMA, Kiyomi HOSOI, Etsumasa KAMEDA, Takashi OHZONE

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Resumo:

Perfis de fotoemissão induzida por elétrons quentes em n-MOSFETs do tipo LDD com L = 0.35-2.0 µm foram medidos com um microscópio de fotoemissão, que tinha capacidade de 1000 ampliação e uma resolução espacial de 27 nm/pixel em um gerador de imagens CCD suficiente para detectar mudanças de perfil na direção do comprimento do canal. Sob a condição de polarização da corrente máxima do substrato, os picos de fotoemissão estavam localizados na borda do dreno LDD e no n+-borda de drenagem para os dispositivos com L = 0.35 e L 0.40 µm, respectivamente. Uma posição de pico, apenas no caso do dispositivo de 0.35 µm, deslocou-se em direção ao lado do dreno em cerca de 80 nm em VD = 7.0 V. Desde VD não afetou as posições de pico em L Dispositivos de 0.40 µm, os mecanismos de fotoemissão podem ser diferentes entre L = 0.35 µm e L Dispositivos de 0.40 µm. Os pontos de fotoemissão devido à quebra da junção pn estavam localizados na borda da curvatura cilíndrica do n+-região de drenagem. A simulação bidimensional do dispositivo, mesmo quando o campo elétrico lateral, a temperatura do elétron e a taxa de recombinação radiativa foram levados em consideração, não conseguiu explicar completamente os resultados experimentais.

Publicação
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E82-C No.4 pp.593-601
Data de publicação
1999/04/25
Publicitada
ISSN online
DOI
Tipo de Manuscrito
Special Section PAPER (Special Issue on Microelectronic Test Structures)
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