A funcionalidade de pesquisa está em construção.
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Intermodulation Distortion of Low Noise Silicon BJT and MOSFET Fabricated in BiCMOS Process Distorção de intermodulação de silício de baixo ruído BJT e MOSFET fabricado em processo BiCMOS

Noriharu SUEMATSU, Masayoshi ONO, Shunji KUBO, Mikio UESUGI, Kouichi HASEGAWA, Kenji HIROSHIGE, Yoshitada IYAMA, Tadashi TAKAGI, Osami ISHIDA

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Resumo:

Embora o processo BiCMOS tenha a capacidade de produzir BJT e MOSFET em chip único, apenas o BJT foi usado para BiCMOS Si-MMIC LNA devido ao seu baixo ruído e alto desempenho de ganho sob baixa alimentação CC. Mas o desempenho de distorção do BJT deve ser melhorado para aplicações de receptor em alguns sistemas sem fio. Neste artigo, a comparação das características de distorção de intermodulação é realizada entre BJT e MOSFET fabricados no mesmo processo BiCMOS pela análise baseada nos modelos simplificados de transistores com parâmetros de dispositivos extraídos. O resultado analítico mostra que o MOSFET possui características de distorção de intermodulação mais baixas em comparação com o BJT, e o resultado é avaliado pelas medições. Para obter características de baixa distorção e baixo ruído, um LNA Si-MMIC de dois estágios é desenvolvido usando BJT como primeiro estágio e MOSFET como segundo estágio do LNA. O LNA fabricado executa NF de 2.45 dB, ganho de 19.3 dB, PII3 of14.6dBm e OIP3 of 4.7 dBm sob alimentação de 3 V/7.2 mA CC.

Publicação
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E82-C No.5 pp.692-698
Data de publicação
1999/05/25
Publicitada
ISSN online
DOI
Tipo de Manuscrito
Special Section PAPER (Special Issue on Low Distortion Technology for Microwave Devices and Circuits)
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