A funcionalidade de pesquisa está em construção.
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A 1. 9 GHz Single-Chip RF Front-End GaAs MMIC with Low-Distortion Cascode FET Mixer Um MMIC GaAs Front-End RF de chip único de 1 GHz com misturador Cascode FET de baixa distorção

Masatoshi NAKAYAMA, Kenichi HORIGUCHI, Kazuya YAMAMOTO, Yutaka YOSHII, Shigeru SUGIYAMA, Noriharu SUEMATSU, Tadashi TAKAGI

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Resumo:

Demonstramos o GaAs MMIC front-end de RF de chip único para o sistema japonês de telefone pessoal. Possui um HPA de alta eficiência, uma chave T/R, um LNA e um misturador conversor descendente de baixa distorção. O IC emprega um gerador de tensão negativa para uso de fonte de alimentação CC de tensão única. O HPA fornece uma potência de saída de 21.5 dBm, com um ACPR de 55 dBc e uma eficiência de 35%. O LNA possui ruído de 1.6 dB e ganho de 14 dB com corrente de 2.3 mA. O misturador FET cascode ativo recentemente desenvolvido tem um alto IIP3 de 1 dBm com alto ganho de conversão de 10 dB e baixo consumo de corrente de 2.3 mA. O IC é caracterizado por alto desempenho para front-end de RF de terminais portáteis PHS. O IC está disponível em formato de 7.0 mm6.4 mmEmbalagem plástica de 1.1 mm.

Publicação
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E82-C No.5 pp.717-724
Data de publicação
1999/05/25
Publicitada
ISSN online
DOI
Tipo de Manuscrito
Special Section PAPER (Special Issue on Low Distortion Technology for Microwave Devices and Circuits)
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