A funcionalidade de pesquisa está em construção.
A funcionalidade de pesquisa está em construção.

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. ex. Some numerals are expressed as "XNUMX".
Copyrights notice

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. Copyrights notice

A Distortion Analysis Method for FET Amplifiers Using Novel Frequency-Dependent Complex Power Series Model Um método de análise de distorção para amplificadores FET usando um novo modelo de série de potências complexas dependente de frequência

Kenichi HORIGUCHI, Kazuhisa YAMAUCHI, Kazutomi MORI, Masatoshi NAKAYAMA, Yukio IKEDA, Tadashi TAKAGI

  • Exibições de texto completo

    0

  • Cite isto

Resumo:

Este artigo propõe um novo método de análise de distorção para amplificadores FET dependentes de frequência, que utiliza um novo modelo de série de potências complexas dependentes de frequência (FDCPS). Este modelo consiste em um amplificador não linear independente de frequência representado por uma série de potências complexas de ordem ímpar e filtros de entrada e saída dependentes de frequência. As características de frequência dentro da banda da região de saturação são representadas pelo filtro de saída dependente da frequência, enquanto as características de frequência dentro da banda da região linear são representadas pelos filtros de entrada e saída dependentes da frequência. Neste método, a análise no domínio do tempo é realizada para calcular as características do amplificador não linear independente da frequência, e a análise no domínio da frequência é aplicada para calcular as características do filtro de entrada e saída dependentes da frequência. A intermodulação de terceira ordem (IM3) calculada por este método para um amplificador GaAs MESFET está de acordo com os resultados numéricos obtidos pelo método Harmonic Balance (HB). Além disso, o IM3 calculado por este método também concorda bem com os dados medidos para um amplificador GaAs MESFET de 3 estágios e banda L. É mostrado que este método é eficaz para calcular a distorção dependente da frequência de um amplificador não linear com sinais de modulação de banda larga.

Publicação
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E82-C No.5 pp.737-743
Data de publicação
1999/05/25
Publicitada
ISSN online
DOI
Tipo de Manuscrito
Special Section PAPER (Special Issue on Low Distortion Technology for Microwave Devices and Circuits)
Categoria

autores

Palavra-chave