A funcionalidade de pesquisa está em construção.
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Modeling of Dopant Diffusion in Silicon Modelagem de difusão de dopantes em silício

Scott T. DUNHAM, Alp H. GENCER, Srinivasan CHAKRAVARTHI

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Resumo:

Nos últimos anos, assistimos a grandes avanços na nossa compreensão e modelagem da difusão acoplada de dopantes e defeitos no silício durante processos de fabricação de circuitos integrados. No entanto, a redução cada vez maior das dimensões e tolerâncias dos dispositivos leva a novos problemas e à necessidade de modelos ainda melhores. Nesta revisão, abordamos alguns dos avanços na compreensão da difusão mediada por defeitos, focando nas equações e parâmetros apropriados para modelagem da difusão de dopantes em estruturas submicrométricas.

Publicação
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E82-C No.6 pp.800-812
Data de publicação
1999/06/25
Publicitada
ISSN online
DOI
Tipo de Manuscrito
Special Section INVITED PAPER (Special Issue on TCAD for Semiconductor Industries)
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