A funcionalidade de pesquisa está em construção.
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Large Signal Analysis of RF Circuits in Device Simulation Análise de grandes sinais de circuitos de RF na simulação de dispositivos

Zhiping YU, Robert W. DUTTON, Boris TROYANOSKY, Junko SATO-IWANAGA

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Resumo:

À medida que a comunicação sem fio está penetrando em todos os cantos do globo, o design ideal e a análise precisa de RF, dispositivos semicondutores de potência tornam-se um dos maiores desafios no desenvolvimento de ferramentas EDA e TCAD (Tecnologia CAD). O medidor de desempenho para esses dispositivos é bastante diferente daquele para dispositivos digitais ou analógicos destinados a aplicações de pequenos sinais, pois o ganho de potência, a eficiência e a distorção (ou a faixa de linearidade) são as maiores preocupações do projeto. Neste artigo, são discutidas a metodologia e os fundamentos matemáticos para análise numérica de grandes distorções de sinal no nível de simulação de dispositivos. Embora o método de equilíbrio harmônico (HB) tenha sido usado há muito tempo na simulação de circuitos para análise de grandes distorções de sinal, a implementação do mesmo método na simulação de dispositivos enfrenta desafios assustadores, entre os quais estão o tremendo custo computacional e o gerenciamento de armazenamento de memória. Mas os benefícios de conduzir tal simulação em nível de dispositivo também são óbvios – pela primeira vez, o impacto da tecnologia e da variação estrutural do dispositivo no desempenho de grandes sinais pode ser avaliado diretamente. As etapas necessárias para tornar a análise HB viável na simulação de dispositivos são descritas e a melhoria algorítmica para aliviar a carga de computação/armazenamento é discutida. As aplicações do simulador de dispositivos para vários dispositivos de potência de RF, incluindo GaAs MESFETs e LDMOS de silício (MOS de difusão lateral), são apresentadas, e os insights obtidos com tal análise são fornecidos.

Publicação
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E82-C No.6 pp.908-916
Data de publicação
1999/06/25
Publicitada
ISSN online
DOI
Tipo de Manuscrito
Special Section INVITED PAPER (Special Issue on TCAD for Semiconductor Industries)
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