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Single 3-V Supply Operation GaAs Linear Power MESFET Amplifier for 5.8-GHz ISM Band Applications Amplificador MESFET de potência linear GaAs de operação de alimentação única de 3 V para aplicações de banda ISM de 5.8 GHz

Yoshiko Matsuo IKEDA, Masami NAGAOKA, Hirotsugu WAKIMOTO, Toshiki SESHITA, Masakatsu MIHARA, Misao YOSHIMURA, Yoshikazu TANABE, Keiji OYA, Yoshiaki KITAURA, Naotaka UCHITOMI

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Resumo:

Um amplificador de potência linear GaAs operando com uma única fonte de 3 V foi desenvolvido para aplicações na banda ISM de 5.8 GHz. Dois tipos de WN refratáriox/W MESFETs de porta autoalinhada, um MESFET de bolso P e um MESFET assimétrico com uma camada p enterrada (BP-MESFET) foram comparados em termos de características DC, características de pequenos sinais e desempenho de potência em 5.8 GHz. Para obter alto ganho e alta eficiência no caso de operação de alimentação única de 3 V a 5.8 GHz, usamos um MESFET de bolso P altamente eficiente e linear para o FET de potência do estágio de saída e um MESFET assimétrico de alto ganho com um enterrado p-layer (BP-MESFET) para o FET do estágio driver. A condição de polarização para o MESFET de bolso P de estágio de saída de 1 mm foi definida próxima à classe AB, de modo a obter potência de saída suficiente com alto PAE. O módulo MMIC amplificador de potência de dois estágios, que pode incluir todos os circuitos de correspondência e polarização, foi projetado e fabricado. O amplificador exibe um alto ganho de potência de 17.9 dB e uma alta eficiência de potência adicionada de 25.7% com uma potência de saída suficiente de 18.7 dBm no ponto de compressão de 1 dB. Esta tecnologia GaAs MESFET de porta autoalinhada é promissora para aplicações de 5.8 GHz em um futuro próximo, devido ao bom desempenho de energia e boa produtividade em massa.

Publicação
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E82-C No.7 pp.1086-1091
Data de publicação
1999/07/25
Publicitada
ISSN online
DOI
Tipo de Manuscrito
Special Section PAPER (Special Issue on Microwave and Millimeter Wave Technology)
Categoria
Dispositivos e circuitos ativos

autores

Palavra-chave