A funcionalidade de pesquisa está em construção.
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New Poly-Si TFT with Selectively Doped Region in the Active Layer Novo Poly-Si TFT com região dopada seletivamente na camada ativa

Min-Cheol LEE, Jae-Hong JEON, Juhn-Suk YOO, Min-Koo HAN

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Resumo:

Propusemos e fabricamos um novo TFT poli-Si empregando as regiões dopadas seletivamente na camada ativa. Nos TFTs poli-Si propostos, as regiões dopadas seletivamente onde a concentração de dopagem é idêntica à da fonte/dreno reduzem o comprimento efetivo do canal durante o estado ligado. No estado desligado, as regiões dopadas seletivamente podem reduzir o campo elétrico lateral induzido próximo ao dreno e reduzir consideravelmente a corrente de fuga. Os dados experimentais do TFT proposto exibem alta corrente, baixa corrente de fuga e baixa tensão limite. A fabricação do TFT proposto é bastante simples; as etapas necessárias para o TFT proposto são reduzidas porque a implantação de íons de alta dosagem para a fonte/dreno e as regiões dopadas seletivamente é realizada simultaneamente antes da etapa de irradiação com laser excimer.

Publicação
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E83-C No.10 pp.1575-1578
Data de publicação
2000/10/25
Publicitada
ISSN online
DOI
Tipo de Manuscrito
Special Section PAPER (Special Issue on Electronic Displays)
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