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Low Power and Low Voltage MOSFETs with Variable Threshold Voltage Controlled by Back-Bias MOSFETs de baixa potência e baixa tensão com tensão limite variável controlada por back-bias

Toshiro HIRAMOTO, Makoto TAKAMIYA

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Resumo:

Estudamos as compensações características em MOSFETs de baixa potência e baixa tensão do ponto de vista do controle back-gate e do fator de efeito corporal. As estruturas MOSFET relatadas anteriormente são classificadas em quatro categorias em termos de estruturas backgate. É mostrado que um MOSFET com polarização reversa fixa tem apenas um acionamento de corrente limitado em baixa tensão, independentemente das estruturas do dispositivo, enquanto o acionamento de corrente de um MOSFET de limiar dinâmico com corpo amarrado à porta é mais aprimorado com o aumento do fator de efeito corporal. Propusemos um novo MOSFET de limiar dinâmico, DTMOS de corpo eletricamente induzido (EIB), que possui um fator de efeito corporal muito grande em baixa tensão de limiar e alta corrente em baixa tensão de alimentação.

Publicação
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E83-C No.2 pp.161-169
Data de publicação
2000/02/25
Publicitada
ISSN online
DOI
Tipo de Manuscrito
Special Section INVITED PAPER (Special Issue on Low-Power High-Speed CMOS LSI Technologies)
Categoria

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