A funcionalidade de pesquisa está em construção.
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Cubic GaN Light Emitting Diode Grown by Metalorganic Vapor-Phase Epitaxy Diodo emissor de luz cúbico GaN cultivado por epitaxia metalorgânica em fase de vapor

Hidenao TANAKA, Atsushi NAKADAIRA

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Resumo:

Estudamos as características de dopagem de Si e Mg em GaN cúbico e fabricamos um diodo emissor de luz de GaN cúbico em um substrato de GaAs por epitaxia metalorgânica em fase de vapor. A estrutura do diodo consistia em camadas de empilhamento de GaN não dopadas e dopadas com Mg depositadas em camadas de GaN e AlGaN dopadas com Si. O sinal de corrente induzido por feixe de elétrons e as características de injeção de corrente desta estrutura de diodo foram medidas. Houve um pico na interface entre o GaN dopado e não dopado com Mg no sinal de corrente induzida por feixe de elétrons. Isso mostra o crescimento bem-sucedido da junção pn. A operação de emissão de luz foi obtida por correntes injetadas através do substrato condutor de GaAs deste diodo à temperatura ambiente. Observamos eletroluminescência abaixo da energia bandgap do GaN cúbico com pico de 2.6 eV.

Publicação
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E83-C No.4 pp.585-590
Data de publicação
2000/04/25
Publicitada
ISSN online
DOI
Tipo de Manuscrito
Special Section PAPER (Special Issue on Blue Laser Diodes and Related Devices/Technologies)
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