A funcionalidade de pesquisa está em construção.
A funcionalidade de pesquisa está em construção.

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. ex. Some numerals are expressed as "XNUMX".
Copyrights notice

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. Copyrights notice

Investigations on Strained AlGaN/GaN/Sapphire and GaInN Multi-Quantum-Well Surface LEDs Using AlGaN/GaN Bragg Reflectors Investigações sobre LEDs de superfície de poços multiquânticos tensos de AlGaN/GaN/Sapphire e GaInN usando refletores AlGaN/GaN Bragg

Hiroyasu ISHIKAWA, Naoyuki NAKADA, Masaharu NAKAJI, Guang-Yuan ZHAO, Takashi EGAWA, Takashi JIMBO, Masayoshi UMENO

  • Exibições de texto completo

    0

  • Cite isto

Resumo:

As investigações foram realizadas em estruturas de AlGaN/GaN/safira cultivadas em metalorgânico-químico-vapor (MOCVD) usando difratometria de raios X. Enquanto AlGaN com menor fração molar de AlN (<0.1) está sob tensão de compressão no plano, ele está sob tensão de tração no plano com alta fração molar de AlN (> 0.1). Embora a tensão de tração tenha causado rachaduras na camada de AlGaN com alta fração molar de AlN, descobrimos que as rachaduras foram drasticamente reduzidas quando a qualidade da camada de GaN não era boa. Usando esta técnica, fabricamos diodos emissores de superfície de poços multiquânticos GaInN (MQW) em 15 pares de estruturas refletoras de Bragg distribuídas (DBR) AlGaN / GaN. A refletividade de 15 pares de estrutura AlGaN/GaN DBR foi mostrada como 75% a 435 nm. Potência de saída consideravelmente maior (1.5 vezes) foi observada para LED GaInN MQW baseado em DBR quando comparado com estruturas MQW não baseadas em DBR.

Publicação
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E83-C No.4 pp.591-597
Data de publicação
2000/04/25
Publicitada
ISSN online
DOI
Tipo de Manuscrito
Special Section PAPER (Special Issue on Blue Laser Diodes and Related Devices/Technologies)
Categoria

autores

Palavra-chave