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ECR-MBE Growth of GaN Using Hydrogen-Nitrogen Mixed Gas Plasma Crescimento ECR-MBE de GaN usando plasma de gás misto hidrogênio-nitrogênio

Yasuo CHIBA, Tsutomu ARAKI, Yasushi NANISHI

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Resumo:

O crescimento epitaxial de feixe molecular excitado por plasma por ressonância de elétron-ciclotron (ECR-MBE) de GaN usando plasma de gás misto hidrogênio-nitrogênio foi investigado. A taxa de crescimento do GaN foi drasticamente aumentada pela adição de hidrogênio ao plasma de nitrogênio. A transição dos padrões de reflexão de difração de elétrons de alta energia (RHEED), de padrões listrados criados sem a presença de hidrogênio para padrões manchados na presença de hidrogênio, indicou que a relação V/III efetiva foi aumentada pela adição de hidrogênio. NHx famílias de radicais foram detectadas em plasma gasoso misto hidrogênio-nitrogênio por espectroscopia de massa quadrupolo e espectroscopia de emissão óptica. Esses radicais foram considerados responsáveis ​​pelo aumento observado na taxa de crescimento. A observação por microscópio eletrônico de transmissão mostrou que a morfologia da superfície do GaN sem hidrogênio era relativamente plana e aquela com hidrogênio era colunar com facetas {1 0 ~ 1 1}. Parece provável que a estrutura colunar das camadas de GaN cultivadas com hidrogênio estivesse fortemente relacionada ao crescimento inicial da ilha.

Publicação
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E83-C No.4 pp.627-632
Data de publicação
2000/04/25
Publicitada
ISSN online
DOI
Tipo de Manuscrito
Special Section PAPER (Special Issue on Blue Laser Diodes and Related Devices/Technologies)
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