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Monte Carlo Simulation of Sub-0.1µm Devices with Schottky Contact Model Simulação Monte Carlo de Dispositivos Sub-0.1µm com Modelo de Contato Schottky

Kazuya MATSUZAWA, Ken UCHIDA, Akira NISHIYAMA

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Resumo:

Um modelo de contato Schottky foi implementado como condição de contorno para simulações de dispositivos de Monte Carlo. Ao contrário do contato ôhmico ideal, o equilíbrio térmico é desnecessário em torno do contato Schottky. Portanto, a região ampla com alta concentração de impurezas ao redor do contato não é necessária para manter o equilíbrio térmico, o que significa que é possível evitar a atribuição de muitas partículas à região de baixo campo. A validade da presente condição de contorno para contatos foi verificada simulando uma característica retificadora de um diodo de barreira Schottky. Como exemplo de aplicação utilizando o presente modelo de contato, simulamos o transporte em n+nn+ estruturas com comprimentos de canal inferiores a 0.1 µm. Observamos a dependência da direção da dispersão da velocidade do elétron, o que indica que a dependência da direção da constante de difusão ou da temperatura do portador deve ser levada em consideração na simulação hidrodinâmica para dispositivos sub-0.1 µm.

Publicação
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E83-C No.8 pp.1212-1217
Data de publicação
2000/08/25
Publicitada
ISSN online
DOI
Tipo de Manuscrito
Special Section PAPER (Special Issue on 1999 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD'99))
Categoria
Modelagem e Simulação de Dispositivos

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