A funcionalidade de pesquisa está em construção.
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RF Analysis Methodology for Si and SiGe FETs Based on Transient Monte Carlo Simulation Metodologia de análise de RF para FETs de Si e SiGe com base na simulação transitória de Monte Carlo

Scott ROY, Sava KAYA, Asen ASENOV, John R. BARKER

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Resumo:

É apresentada uma metodologia de análise abrangente que permite a investigação do desempenho de RF de MOSFETs de Si e Si:SiGe tensos. É baseado na simulação Monte Carlo de conjunto transitório que descreve corretamente o transporte de dispositivos e emprega um solucionador de elementos finitos para explicar geometrias complexas de dispositivos. São discutidas características de transferência e valores de mérito para vários MOSFETs de RF existentes e propostos.

Publicação
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E83-C No.8 pp.1224-1227
Data de publicação
2000/08/25
Publicitada
ISSN online
DOI
Tipo de Manuscrito
Special Section PAPER (Special Issue on 1999 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD'99))
Categoria
Modelagem e Simulação de Dispositivos

autores

Palavra-chave