A funcionalidade de pesquisa está em construção.
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3-Dimensional Process Simulation of Thermal Annealing of Low Dose Implanted Dopants in Silicon Simulação de processo tridimensional de recozimento térmico de dopantes implantados em baixas doses em silício

Vincent SENEZ, Jerome HERBAUX, Thomas HOFFMANN, Evelyne LAMPIN

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Resumo:

Este artigo relata a implementação em três dimensões (3D) de modelos de difusão para dopantes implantados em baixas doses em silício e os diversos problemas numéricos associados a ele. Para permitir que os usuários finais escolham entre alta precisão ou pequeno tempo de cálculo, um modelo de difusão convencional e de 5 espécies foi implementado no módulo 3D DIFOX-3D pertencente à plataforma PROMPT. Por comparação com simulações uni e bidimensionais (1D e 2D) realizadas com IMPACT-4, onde existem modelos calibrados, a validade destes modelos 3D foi verificada. Por fim, são apresentados os resultados obtidos para uma simulação tridimensional de uma etapa de recozimento térmico rápido envolvida na fabricação de um transistor MOS, o que mostra a capacidade deste módulo em lidar com a otimização de dispositivos reais.

Publicação
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E83-C No.8 pp.1267-1274
Data de publicação
2000/08/25
Publicitada
ISSN online
DOI
Tipo de Manuscrito
Special Section PAPER (Special Issue on 1999 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD'99))
Categoria
Modelagem e Simulação de Processos

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