A funcionalidade de pesquisa está em construção.
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Gate and Recess Engineering for Ultrahigh-Speed InP-Based HEMTs Engenharia de portas e recessos para HEMTs baseados em InP de ultra-alta velocidade

Tetsuya SUEMITSU, Tetsuyoshi ISHII, Yasunobu ISHII

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Resumo:

Transistores de alta mobilidade eletrônica (HEMTs) baseados em InP com comprimentos de porta reduzidos para 30 nm foram fabricados e caracterizados, e o efeito do recesso da porta nas características de alta frequência foi estudado. A frequência de corte, que é considerada como uma função do comprimento da porta e da velocidade média da portadora numa aproximação de primeira ordem, depende do tamanho do recesso da porta quando o comprimento da porta se torna curto. O tamanho do recesso da porta é otimizado levando em consideração a capacitância de feedback e a resistência parasita. Para HEMTs tendo o recesso de porta com uma superfície InP, um alargamento apropriado do recesso de porta fornece uma frequência de corte recorde de 368 GHz para os HEMTs de porta de 30 nm com um canal de rede correspondente.

Publicação
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E84-C No.10 pp.1283-1288
Data de publicação
2001/10/01
Publicitada
ISSN online
DOI
Tipo de Manuscrito
Special Section INVITED PAPER (Joint Special Issue on Heterostructure Microelectronics with TWHM 2000 (Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics 2000))
Categoria
Hetero-FETs e seus circuitos integrados

autores

Palavra-chave