A funcionalidade de pesquisa está em construção.
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Hydrogen Degradation of InP HEMTs and GaAs PHEMTs Degradação de hidrogênio de InP HEMTs e GaAs PHEMTs

Jesus A. del ALAMO, Roxann R. BLANCHARD, Samuel D. MERTENS

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Resumo:

Realizamos um estudo sistemático do impacto da exposição ao hidrogênio em InP HEMTs e GaAs PHEMTs com portas Ti/Pt/Au. O envenenamento por hidrogênio é uma importante preocupação de confiabilidade nesses dispositivos. Nosso trabalho forneceu amplas evidências que apoiam a formação de TiH dentro da estrutura do portão após exposição de HEMTs a um ambiente de hidrogênio. A expansão de volume resultante da porta tensiona a heteroestrutura semicondutora por baixo e, através do efeito piezoelétrico, resulta em uma mudança na tensão limite do dispositivo. Este mecanismo é amplamente reversível. Independentemente disso, descobrimos que H2 perturba a estequiometria da barreira InAlAs exposta na região rebaixada logo ao lado do portão. Isto altera irreversivelmente a concentração extrínseca de portadores de folhas no canal e afeta outras figuras de mérito, como a tensão de ruptura. Esse entendimento deve ser fundamental na identificação de soluções para esse problema em nível de dispositivo.

Publicação
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E84-C No.10 pp.1289-1293
Data de publicação
2001/10/01
Publicitada
ISSN online
DOI
Tipo de Manuscrito
Special Section INVITED PAPER (Joint Special Issue on Heterostructure Microelectronics with TWHM 2000 (Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics 2000))
Categoria
Hetero-FETs e seus circuitos integrados

autores

Palavra-chave