A funcionalidade de pesquisa está em construção.
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Fabrication and Characterization of InGaAs/InAlAs Insulated Gate Pseudomorphic HEMTs Having a Silicon Interface Control Layer Fabricação e caracterização de HEMTs pseudomórficos de porta isolada InGaAs/InAlAs com uma camada de controle de interface de silício

Yong-Gui XIE, Seiya KASAI, Hiroshi TAKAHASHI, Chao JIANG, Hideki HASEGAWA

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Resumo:

Um novo transistor pseudomórfico de alta mobilidade eletrônica (PHEMT) de porta isolada InGaAs / InAlAs (IG) com uma camada de controle de interface de silício (Si ICL) é fabricado e caracterizado com sucesso. Esforços sistemáticos para caracterizar e otimizar a estrutura da porta isolada e o processo de fabricação do PHEMT foram feitos usando no local Espectroscopia de fotoelétrons de raios X (XPS) e capacitância-tensão (cv) técnicas. Isso levou à fabricação bem-sucedida de um novo IG-PHEMT mostrando excelentes características DC estáveis ​​com um bom pinçamento e uma alta transcondutância (177 mS/mm), correntes de fuga de porta muito pequenas, tensões de ruptura de porta muito altas (cerca de 40 V) e respeitáveis Características de RF fT = 9 GHz e fmax=38GHz.

Publicação
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E84-C No.10 pp.1335-1343
Data de publicação
2001/10/01
Publicitada
ISSN online
DOI
Tipo de Manuscrito
Special Section PAPER (Joint Special Issue on Heterostructure Microelectronics with TWHM 2000 (Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics 2000))
Categoria
Hetero-FETs e seus circuitos integrados

autores

Palavra-chave