A funcionalidade de pesquisa está em construção.
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Low Vbe GaInAsN Base Heterojunction Bipolar Transistors Baixo Vbe GaInAsN Transistores bipolares de heterojunção de base

Roger E. WELSER, Paul M. DELUCA, Alexander C. WANG, Noren PAN

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Resumo:

Relatamos aqui as características elétricas e estruturais dos DHBTs InGaP/GaInAsN com uma redução de até 50 mV na tensão de ativação em relação aos HBTs InGaP/GaAs padrão. Altos níveis de doping do tipo p ( 3 1019 cm-3) e ganho de corrente CC (βmax até 100) são alcançados em estruturas de camada base GaInAsN variando em resistência da folha base entre 250 e 750 Ω/. Os efeitos separados de um pico de banda de condução do emissor base e do intervalo de energia da camada base na tensão de ativação são verificados comparando as características da corrente do coletor de vários transistores bipolares baseados em GaAs diferentes. Medições de fotoluminescência são feitas nos DHBTs InGaP/GaInAsN para confirmar a lacuna de energia da camada base, e espectros de difração de raios X de cristal duplo são usados ​​para avaliar os níveis de deformação na camada base GaInAsN.

Publicação
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E84-C No.10 pp.1389-1393
Data de publicação
2001/10/01
Publicitada
ISSN online
DOI
Tipo de Manuscrito
Special Section PAPER (Joint Special Issue on Heterostructure Microelectronics with TWHM 2000 (Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics 2000))
Categoria
THBs III-V

autores

Palavra-chave