A funcionalidade de pesquisa está em construção.
A funcionalidade de pesquisa está em construção.

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. ex. Some numerals are expressed as "XNUMX".
Copyrights notice

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. Copyrights notice

SiGe-HBTs for Bipolar and BICMOS-Applications: From Research to Ramp up of Production SiGe-HBTs para aplicações bipolares e BICMOS: da pesquisa ao aumento da produção

Konrad WOLF, Wolfgang KLEIN, Norbert ELBEL, Adrian BERTHOLD, Sonja GRONDAHL, Thomas HUTTNER, Stefan DREXL, Rudolf LACHNER

  • Exibições de texto completo

    1

  • Cite isto

Resumo:

Relatamos o fluxo do processo e as características tecnológicas da tecnologia bipolar de 75 GHz da Infineons, que é caracterizada por uma estrutura de transistor autoalinhado duplo-poli e uma base SiGe, cultivada por epitaxia seletiva. A dependência da deposição epitaxial nas condições de crescimento e a influência do layout no processo de crescimento é discutida, especialmente para diferentes tipos de retículos: CIs bipolares, CIs BICMOS e semicondutores discretos. Finalmente, nosso conceito de monitoramento para o controle da epitaxia seletiva de SiGe é apresentado e comparado com métodos alternativos de controle de processo.

Publicação
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E84-C No.10 pp.1399-1407
Data de publicação
2001/10/01
Publicitada
ISSN online
DOI
Tipo de Manuscrito
Special Section INVITED PAPER (Joint Special Issue on Heterostructure Microelectronics with TWHM 2000 (Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics 2000))
Categoria
HBTs e FETs SiGe

autores

Palavra-chave