A funcionalidade de pesquisa está em construção.
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Partially Depleted SOI Technology with Body-Tied Hybrid Trench Isolation for High-Speed System-On-a-Chip Application Tecnologia SOI parcialmente esgotada com isolamento de vala híbrida amarrada ao corpo para aplicação de sistema em um chip de alta velocidade

Yasuo YAMAGUCHI, Takashi IPPOSHI, Kimio UEDA, Koichiro MASHIKO, Shigeto MAEGAWA, Masahide INUISHI, Tadashi NISHIMURA

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Resumo:

A tecnologia SOI parcialmente esgotada com isolamento de trincheira híbrida amarrada ao corpo foi desenvolvida para neutralizar os efeitos do corpo flutuante que oferecem impacto negativo na corrente de acionamento dos transistores e na estabilidade da operação do circuito, mantendo os méritos específicos da SOI, como operação em alta velocidade e baixo consumo de energia. . A viabilidade desta tecnologia e seus efeitos superiores de erros suaves foram demonstrados por uma SRAM de 4 M bits totalmente funcional. Suas características de radiofrequência também foram avaliadas e verificou-se que transistores de alto desempenho e elementos passivos podem ser realizados pela combinação da estrutura SOI e um substrato de alta resistividade. Além disso, também foi demonstrada sua aplicação a um IC digital de 2.5 GHz para comunicação óptica. Assim, foi comprovado que os dispositivos SOI acoplados ao corpo com isolamento de trincheira híbrido são adequados para realizar sistemas em um chip de alta velocidade, inteligentes e confiáveis, integrando vários IPs.

Publicação
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E84-C No.12 pp.1735-1745
Data de publicação
2001/12/01
Publicitada
ISSN online
DOI
Tipo de Manuscrito
Special Section PAPER (Special Issue on Integrated Systems with New Concepts)
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