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A 60 µA Quiscent Current, 250 mA CMOS Low Dropout Regulator Uma corrente quiscente de 60 µA, regulador de baixa queda CMOS de 250 mA

Yen-Shyung SHYU, Jiin-Chuan WU

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Resumo:

Um regulador de baixa corrente quiescente totalmente integrado Low Dropout (LDO) foi fabricado em uma tecnologia CMOS de 0.6 µm. É estável com capacitores de resistência em série efetiva (ESR) baixa e alta. Uma técnica de polarização de feedback dinâmico (DNFB) é usada para polarizar o amplificador de erro no LDO de modo que uma boa eficiência de corrente seja alcançada enquanto se mantém uma boa resposta transitória. Para comparar o desempenho dos reguladores LDO com e sem realimentação dinâmica, os amplificadores de erro são configurados para ter uma grande corrente de polarização (LC), uma pequena corrente de polarização (SC) e uma polarização com corrente de realimentação dinâmica usando chaves. Os resultados da medição mostram que os regulamentos de linha e carga do DNFB são 0.145%/V e 11 ppm/mA, respectivamente. Além disso, há cerca de 33% de redução no tempo de estabilização e na queda de tensão em comparação com o SC LDO quando a corrente de carga muda de 0 mA para 50 mA. A fim de reduzir a tensão de queda, um circuito de redução de queda baseado em DNFB também é projetado para reduzir a tensão limite do PMOS de saída do LDO. A redução de dropout medida é de 8.1 mV, que pode ser ainda mais reduzida por uma taxa de feedback maior no DNFB. A corrente quiescente deste LDO é medida como 59.4 µ A e este LDO pode fornecer uma corrente de saída máxima de 250 mA a uma tensão de entrada de 3.6 V. A área ativa deste LDO é 760 µ m 714 µm.

Publicação
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E84-C No.5 pp.693-703
Data de publicação
2001/05/01
Publicitada
ISSN online
DOI
Tipo de Manuscrito
PAPER
Categoria
Circuitos eletrônicos

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Palavra-chave