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Growth of Epitaxial SrTiO3 on Epitaxial (Ti,Al)N/Si(100) Substrate Using Ti-Buffer Layer Crescimento de SrTiO epitaxial3 em substrato epitaxial (Ti,Al)N/Si(100) usando camada de buffer de Ti

Kenya SANO, Ryoichi OHARA, Takashi KAWAKUBO

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Resumo:

SrTiO epitaxial3O filme (STO) em (Ti,Al)N/Si(100) epitaxial foi obtido com sucesso usando uma camada tampão de Ti. O SrTiO3 o filme foi (100) orientado e cresceu em relação epitaxial paralela (cubo sobre cubo), ou seja, (100)SrTiO3//(100)(Ti,Al)N//(100)Si, <110> SrTiO3//<110> (Ti,Al)N//<110>Si. A camada tampão de Ti foi cultivada em (Ti,Al)N por pulverização catódica com magnetron, e a espessura da camada tampão foi de 2-10 nm. Depois que o filme STO foi pulverizado, a camada tampão de Ti foi alterada para anatase policristalina-TiO2.

Publicação
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E84-C No.6 pp.808-813
Data de publicação
2001/06/01
Publicitada
ISSN online
DOI
Tipo de Manuscrito
Special Section PAPER (Special Issue on Nonvolatile Memories)
Categoria
FeRAMs

autores

Palavra-chave