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Effects of Source and Load Impedance on the Intermodulation Distortion Products of GaAs FETs Efeitos da impedância de fonte e carga nos produtos de distorção de intermodulação de FETs de GaAs

Kwang-Ho AHN, Soong-Hak LEE, Yoon-Ha JEONG

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Resumo:

A linearidade do amplificador de potência GaAs Field Effect Transistor (FET) é muito influenciada pelas características não lineares da capacitância porta-fonte (Cgs) e corrente de fonte de drenagem (Ids) para os FETs. No entanto, os métodos de análise sugeridos anteriormente da não linearidade do GaAs FET concentram-se principalmente nas investigações de cada componente não linear individual (Cgs or Ids) sem considerar ambos os efeitos não lineares. Analisamos com mais precisão a não linearidade dos FETs de GaAs considerando os efeitos não lineares de Cgs e Ids simultaneamente. Também investigamos a distorção de intermodulação de terceira ordem (IMD3) do GaAs FET em relação às impedâncias de fonte e carga que minimizam as não linearidades do FET. A partir dos resultados da simulação pela técnica da série Volterra, mostramos que o mínimo IMD3 é encontrado na resistência mínima da fonte (RS) e resistência máxima à carga (RL) na potência de saída equivalente (PFora) contorno. Os resultados simulados são comparados com os dados pull de carga e origem, com boa concordância.

Publicação
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E84-C No.8 pp.1104-1110
Data de publicação
2001/08/01
Publicitada
ISSN online
DOI
Tipo de Manuscrito
PAPER
Categoria
Materiais e dispositivos semicondutores

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