A funcionalidade de pesquisa está em construção.
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A Simplified Dopant Pile-Up Model for Process Simulators Um modelo simplificado de empilhamento de dopantes para simuladores de processos

Hirokazu HAYASHI, Noriyuki MIURA, Hirotaka KOMATSUBARA, Marie MOCHIZUKI, Koichi FUKUDA

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Resumo:

Este artigo descreve um modelo eficaz que reproduz a dependência do processo fonte/dreno (S/D) do efeito reverso de canal curto (RSCE) da tensão limite do MOSFET (Vth). É útil para modelagem local que é eficaz dentro das condições limitadas do processo. O modelo proposto é baseado na física onde o fator chave do RSCE é o acúmulo de dopantes no Si/SiO2 interface. O objetivo do modelo é que o TCAD seja efetivamente utilizado como uma ferramenta de solução rápida. O custo de cálculo é muito menor que um modelo de difusão em pares, pois o modelo é implementado em um simulador de processo convencional que resolve uma equação para cada impureza. A capacidade do modelo simplificado é investigada quanto à dependência de várias condições de processo no RSCE. Usando nosso modelo, também relatamos a aplicação dos MOSFETs reais de canal n e canal p.

Publicação
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E85-C No.12 pp.2117-2122
Data de publicação
2002/12/01
Publicitada
ISSN online
DOI
Tipo de Manuscrito
PAPER
Categoria
Materiais e dispositivos semicondutores

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Palavra-chave