A funcionalidade de pesquisa está em construção.
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A Distributed Device Model for Hot-Electron Bolometers Um modelo de dispositivo distribuído para bolômetros de elétrons quentes

Harald F. MERKEL, Pourya KHOSROPANAH, Aurèle ADAM, Serguei CHEREDNICHENKO, Erik Ludvig KOLLBERG

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Resumo:

Modelos anteriores de dispositivos para Bolômetros de Elétrons Quentes (HEB) aplicam uma abordagem de elemento concentrado para calcular os parâmetros de pequenos sinais. Neste trabalho, parâmetros de grandes sinais são calculados usando uma equação de equilíbrio de calor unidimensional não linear incluindo efeitos de corrente críticos. Equivalentes de pequenos sinais são obtidos resolvendo um balanço de calor linearizado para o termo de batimento de pequenos sinais no HEB. Neste modelo, a densidade de potência de polarização absorvida é tratada como um perfil ao longo da ponte HEB e o feedback eletrotérmico atua de forma diferente em diferentes partes da ponte. Este modelo prevê valores de ganho de conversão mais realistas, sendo cerca de 10 dB inferiores aos anteriores.

Publicação
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E85-C No.3 pp.725-732
Data de publicação
2002/03/01
Publicitada
ISSN online
DOI
Tipo de Manuscrito
Special Section INVITED PAPER (Special Issue on Superconductive Electronics)
Categoria
Misturadores e Detectores

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Palavra-chave