A funcionalidade de pesquisa está em construção.
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Suppression of Short Channel Effect in Triangular Parallel Wire Channel MOSFETs Supressão do efeito de canal curto em MOSFETs de canal de fio paralelo triangular

Toshiki SAITO, Takuya SARAYA, Takashi INUKAI, Hideaki MAJIMA, Toshiharu NAGUMO, Toshiro HIRAMOTO

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Resumo:

Propusemos o MOSFET de canal de fio paralelo triangular de alta densidade em um substrato SOI e demonstramos os efeitos de canal curto suprimidos por simulação e experimento. Nesta estrutura de dispositivo, o processo de fabricação é totalmente compatível com o processo MOSFET planar e é muito menos complicado do que outras estruturas de dispositivos não planas, incluindo gate-all-around (GAA) e MOSFETs SOI de porta dupla. Além disso, nosso processo de fabricação possibilita dobrar a densidade do fio, resultando em maior acionamento de corrente. Os resultados da simulação tridimensional mostram que o MOSFET de canal de fio triangular proposto tem melhores características de canal curto do que os MOSFETs SOI de porta única e porta dupla. Os MOSFETs de canal de fio paralelo triangular fabricados apresentam melhores características de sublimiar e menos redução de barreira induzida por dreno (DIBL) do que os MOSFETs SOI de porta única.

Publicação
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E85-C No.5 pp.1073-1078
Data de publicação
2002/05/01
Publicitada
ISSN online
DOI
Tipo de Manuscrito
Special Section PAPER (Special Issue on Advanced Sub-0.1 µm CMOS Devices)
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