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Three-Dimensional MMIC Technology on Silicon: Review and Recent Advances Tecnologia MMIC tridimensional em silício: revisão e avanços recentes

Belinda PIERNAS, Kenjiro NISHIKAWA, Kenji KAMOGAWA, Ichihiko TOYODA

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Resumo:

Este artigo analisa as vantagens da tecnologia MMIC tridimensional de silício, como linhas de transmissão de baixa perda, alto nível de integração e indutores no chip de alto fator Q. Juntamente com o conceito masterslice, esta tecnologia também oferece procedimento de projeto simples, tempo de resposta curto, baixo custo e integração potencial com circuitos LSI. Um amplificador de banda K e um conversor ascendente demonstram a operação de alta frequência e os benefícios de baixo consumo de energia da tecnologia Si 3-D MMIC. Um transceptor Si-bipolar de chip único de banda C é proposto para ilustrar o alto nível de integração oferecido pelo conceito masterslice. Finalmente, os avanços recentes que alcançamos em direção aos indutores on-chip de alto fator Q fornecem o projeto do amplificador de baixo ruído de banda S apresentado neste artigo.

Publicação
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E85-C No.7 pp.1394-1403
Data de publicação
2002/07/01
Publicitada
ISSN online
DOI
Tipo de Manuscrito
Special Section INVITED PAPER (Special Issue on Silicon RF Device & Integrated Circuit Technologies)
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