A funcionalidade de pesquisa está em construção.
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Development of High Efficiency RF Power MOSFET for GSM Cellular Phone System Desenvolvimento de MOSFET de potência RF de alta eficiência para sistema de telefonia celular GSM

Yuri KUSAKARI, Masatoshi MORIKAWA, Kazunori ONOZAWA, Iwamichi KOHJIRO, Isao YOSHIDA

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Resumo:

Um MOSFET de potência altamente eficiente foi desenvolvido para amplificadores de potência RF de 3.6 V para uso em sistemas de telefonia celular GSM (Sistemas Globais para Comunicações Móveis) (880-915 MHz). Ele foi fabricado usando um processo CMOS LSI de 0.45 µm com uma estrutura de siliceto de metal/Si em curto-circuito com Al em vez de uma porta Mo convencional de 0.8 µm. O MOSFET de potência resultante tem uma resistência no estado de 6.9 ​​Ωmm, tensão de ruptura de 13 V e frequência de corte de 11 GHz. O desempenho de RF do dispositivo atingiu uma potência de saída (PFora) de 1.8 W, um ganho de potência de 10 dB e uma eficiência de potência adicionada (ηadicionar) de 60%. Além disso, um módulo de potência de RF usando nosso MOSFET de potência proposto alcançou uma potência de saída de 4 W e uma eficiência total de 50%.

Publicação
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E85-C No.7 pp.1436-1442
Data de publicação
2002/07/01
Publicitada
ISSN online
DOI
Tipo de Manuscrito
Special Section PAPER (Special Issue on Silicon RF Device & Integrated Circuit Technologies)
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Palavra-chave