A funcionalidade de pesquisa está em construção.
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Multiple-Valued T-Gate Based on Multiple Junction Surface Tunnel Transistor T-Gate de valor múltiplo baseado em transistor de túnel de superfície de junção múltipla

Tetsuya UEMURA, Toshio BABA

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Resumo:

Uma nova porta de transferência de valores múltiplos (porta T) consistindo de transistores de túnel de superfície de múltiplas junções (MJSTTs) e FETs de heterojunção (HJFETs) foi desenvolvida e sua operação foi confirmada por simulação e experimento. O número de dispositivos necessários para formar a porta T pode ser drasticamente reduzido devido à alta funcionalidade do MJSTT; ou seja, apenas três MJSTTs e três HJFETs são necessários para fabricar a porta T de três valores. Esse número de transistores é menos da metade de um circuito convencional. O circuito fabricado exibiu uma operação básica de porta T com várias funções lógicas. Além disso, apenas uma porta T é necessária para formar um circuito D-flip-flop (D-FF) de valores múltiplos.

Publicação
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E85-C No.7 pp.1486-1490
Data de publicação
2002/07/01
Publicitada
ISSN online
DOI
Tipo de Manuscrito
PAPER
Categoria
Materiais e dispositivos semicondutores

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Palavra-chave