A funcionalidade de pesquisa está em construção.
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Prevention of Highly Power-Efficient Circuits due to Short-Channel Effects in MOSFETs Prevenção de circuitos de alta eficiência energética devido a efeitos de canal curto em MOSFETs

Arnab MUKHOPADHYAY, Tapas Kumar MAITI, Sandip BHATTACHARYA, Takahiro IIZUKA, Hideyuki KIKUCHIHARA, Mitiko MIURA-MATTAUSCH, Hafizur RAHAMAN, Sadayuki YOSHITOMI, Dondee NAVARRO, Hans Jürgen MATTAUSCH

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Resumo:

Este relatório concentra-se em um esquema de otimização de MOSFETs avançados para projetar circuitos CMOS com alta eficiência energética. Para este propósito, o modelo compacto baseado em física HiSIM2 é aplicado para que a relação entre as características do dispositivo e do circuito possa ser investigada adequadamente. É demonstrado que o efeito de canal curto, que geralmente é medido pela mudança de tensão limite em relação aos MOSFETs de canal longo, fornece uma medida consistente para a degradação do desempenho do dispositivo com comprimento de canal reduzido. No entanto, as degradações de desempenho dos circuitos CMOS, como a perda de energia, não podem ser previstas apenas pela mudança de tensão limite. Aqui, a oscilação subliminar é identificada como uma medida adicional importante para o projeto de circuitos CMOS com eficiência energética. O aumento da oscilação sublimiar torna-se óbvio quando a mudança da tensão limite é maior que 0.15V.

Publicação
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E102-C No.6 pp.487-494
Data de publicação
2019/06/01
Publicitada
ISSN online
1745-1353
DOI
10.1587/transele.2018ECP5046
Tipo de Manuscrito
PAPER
Categoria
Materiais e dispositivos semicondutores

autores

Arnab MUKHOPADHYAY
  Hiroshima University,Indian Institute of Engineering Science and Technology
Tapas Kumar MAITI
  Hiroshima University
Sandip BHATTACHARYA
  Hiroshima University
Takahiro IIZUKA
  Hiroshima University
Hideyuki KIKUCHIHARA
  Hiroshima University
Mitiko MIURA-MATTAUSCH
  Hiroshima University
Hafizur RAHAMAN
  Indian Institute of Engineering Science and Technology
Sadayuki YOSHITOMI
  Toshiba Memory Corporation
Dondee NAVARRO
  Hiroshima University
Hans Jürgen MATTAUSCH
  Hiroshima University

Palavra-chave