A funcionalidade de pesquisa está em construção.
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Field-Emission from Finely Nicked Structures on n-Type Silicon Substrate Formed by Sandblasting Process Emissão de campo de estruturas finamente cortadas em substrato de silício tipo n formado por processo de jato de areia

Tomomi YOSHIMOTO, Tatsuo IWATA

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Resumo:

Estruturas finamente texturizadas em uma superfície de silício foram fabricadas para atuar como emissores de campo através de um simples jato de areia usando Al fino2O3 partículas. Os testes confirmaram que as estruturas finamente cortadas funcionam bem como emissores de campo eficientes. A corrente de emissão obedece à relação de Fowler-Nordheim, com baixo limiar de campo elétrico. A flutuação da corrente de emissão foi inversamente proporcional à raiz quadrada da corrente de emissão média, e o desvio de longo prazo da corrente de emissão foi de cerca de 1% por hora na corrente de emissão média de 108 µA na faixa de pressão de 10-5Pa, indicando que o emissor oferece uma saída de corrente estável.

Publicação
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E102-C No.2 pp.207-210
Data de publicação
2019/02/01
Publicitada
ISSN online
1745-1353
DOI
10.1587/transele.2018ECS6016
Tipo de Manuscrito
BRIEF PAPER
Categoria
Tubos de elétrons, vácuo e tecnologia de feixe

autores

Tomomi YOSHIMOTO
  Toyo University
Tatsuo IWATA
  Mie University

Palavra-chave