A funcionalidade de pesquisa está em construção.
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Characterization of Electron Field Emission from Multiple-Stacking Si-Based Quantum Dots Caracterização da emissão de campo de elétrons de pontos quânticos baseados em Si de empilhamento múltiplo

Yuto FUTAMURA, Katsunori MAKIHARA, Akio OHTA, Mitsuhisa IKEDA, Seiichi MIYAZAKI

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Resumo:

Fabricamos pontos quânticos de Si (QDs) de múltiplas pilhas com e sem núcleo Ge incorporado em um SiO2 rede em n-Si (100) e estudou suas características de emissão de elétrons de campo sob aplicação de polarização DC. Para o caso de pilhas de Si-QD puras com diferentes números de pilha de pontos, o campo elétrico médio em estruturas empilhadas de pontos nas quais a corrente de emissão de elétrons apareceu atingiu o valor mínimo em um número de pilha de 11. Isso pode ser atribuído à otimização do elétron emissão devido ao aumento da concentração do campo elétrico nas camadas superiores das estruturas empilhadas e à redução da corrente de injeção de elétrons do substrato n-Si, com um aumento no número de pilhas. Descobrimos também que, ao introduzir o núcleo Ge nos Si-QDs, o campo elétrico médio para a emissão de elétrons pode ser reduzido abaixo daquele das estruturas puras empilhadas em Si-QDs. Este resultado implica que o campo elétrico está mais concentrado nos Si-QDs superiores com camadas do núcleo Ge devido ao potencial profundo para buracos no núcleo Ge.

Publicação
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E102-C No.6 pp.458-461
Data de publicação
2019/06/01
Publicitada
ISSN online
1745-1353
DOI
10.1587/transele.2018FUP0007
Tipo de Manuscrito
Special Section PAPER (Special Section on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices)
Categoria

autores

Yuto FUTAMURA
  Nagoya University
Katsunori MAKIHARA
  Nagoya University
Akio OHTA
  Nagoya University
Mitsuhisa IKEDA
  Nagoya University
Seiichi MIYAZAKI
  Nagoya University

Palavra-chave