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A 28-GHz-Band Highly Linear Stacked-FET Power Amplifier IC with High Back-Off PAE in 56-nm SOI CMOS Um amplificador de potência FET empilhado altamente linear de banda de 28 GHz com PAE de alto recuo em CMOS SOI de 56 nm

Cuilin CHEN, Tsuyoshi SUGIURA, Toshihiko YOSHIMASU

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Resumo:

Este artigo apresenta um IC amplificador de potência (PA) empilhado altamente linear com banda de 28 GHz. Uma estrutura FET de 4 pilhas é empregada para alta potência de saída, considerando a baixa tensão de ruptura dos transistores MOSFET escalonados. Um novo circuito de polarização adaptativo é proposto para controlar dinamicamente a tensão de polarização porta-fonte para MOSFETs de amplificação. O novo viés adaptativo permite que o PA atinja alta linearidade com alta eficiência de recuo. Além disso, a distorção de intermodulação de terceira ordem (IM3) é melhorada por uma estrutura multi-cascode. O PA IC foi projetado, fabricado e totalmente testado em tecnologia SOI CMOS de 56 nm. Com uma tensão de alimentação de 4 V, o PA IC alcançou uma potência de saída de 20.0 dBm com um PAE de até 38.1% no ponto de compressão de ganho de 1 dB (P1dB). Além disso, os PAEs com recuo de 3 dB e 6 dB de P1dB são de 36.2% e 28.7%, respectivamente. O PA IC exibe um ponto de interceptação de terceira ordem de saída (OIP3) de 25.0 dBm.

Publicação
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E103-C No.4 pp.153-160
Data de publicação
2020/04/01
Publicitada
ISSN online
1745-1353
DOI
10.1587/transele.2019CDP0003
Tipo de Manuscrito
Special Section PAPER (Special Section on Solid-State Circuit Design — Architecture, Circuit, Device and Design Methodology)
Categoria
Microondas, Ondas Milimétricas

autores

Cuilin CHEN
  Waseda University
Tsuyoshi SUGIURA
  Samsung R&D Institute Japan
Toshihiko YOSHIMASU
  Waseda University

Palavra-chave