A funcionalidade de pesquisa está em construção.
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Simulation of the Short Channel Effect in GaN HEMT with a Combined Thin Undoped Channel and Semi-Insulating Layer Simulação do efeito de canal curto em GaN HEMT com um canal fino não dopado combinado e camada semi-isolante

Yasuyuki MIYAMOTO, Takahiro GOTOW

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Resumo:

Neste estudo, simulações são realizadas para projetar um dispositivo ideal para afinar a camada do canal GaN na camada semi-isolante em HEMT. Quando o comprimento da porta é de 50 nm, a espessura do canal não dopado deve ser mais fina que 300 nm para observar o estado desligado. Quando a camada do canal GaN é dopada com Fe, uma relação liga / desliga de ~ 300 pode ser alcançada mesmo com um comprimento de porta de 25 nm, embora a transcondutância seja ligeiramente reduzida.

Publicação
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E103-C No.6 pp.304-307
Data de publicação
2020/06/01
Publicitada
ISSN online
1745-1353
DOI
10.1587/transele.2019FUS0002
Tipo de Manuscrito
BRIEF PAPER
Categoria
Materiais e dispositivos semicondutores

autores

Yasuyuki MIYAMOTO
  Tokyo Institute of Technology,Nagoya University
Takahiro GOTOW
  Tokyo Institute of Technology

Palavra-chave