A funcionalidade de pesquisa está em construção.
A funcionalidade de pesquisa está em construção.

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. ex. Some numerals are expressed as "XNUMX".
Copyrights notice

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. Copyrights notice

Room Temperature Atomic Layer Deposition of Nano Crystalline ZnO and Its Application for Flexible Electronics Deposição de camada atômica em temperatura ambiente de ZnO nanocristalino e sua aplicação para eletrônica flexível

Kazuki YOSHIDA, Kentaro SAITO, Keito SOGAI, Masanori MIURA, Kensaku KANOMATA, Bashir AHMMAD, Shigeru KUBOTA, Fumihiko HIROSE

  • Exibições de texto completo

    0

  • Cite isto

Resumo:

O óxido de zinco nanocristalino (ZnO) é depositado por deposição de camada atômica à temperatura ambiente (RT-ALD) usando dimetilzinco e um Ar umidificado excitado por plasma sem tratamentos térmicos. A observação TEM indicou que os filmes de ZnO depositados foram cristalizados com tamanhos de grão de ~20 nm em Si no decorrer do processo RT-ALD. O ZnO cristalino exibiu características semicondutoras em um transistor de filme fino, onde a mobilidade do efeito de campo foi registrada em 1.29×10-3cm2/V·s. Está confirmado que o filme de ZnO depositado em RT possui anticorrosão à água quente. A taxa de transmissão de vapor de água de 8.4×10-3g·m-2·dia-1 foi medido a partir de um ZnO com 20 nm de espessura e Al com 40 nm de espessura2O3 em um filme de naftalato de polietileno. Neste artigo, discutimos a cristalização de ZnO no processo RT ALD e sua aplicabilidade em eletrônica flexível.

Publicação
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E104-C No.7 pp.363-369
Data de publicação
2021/07/01
Publicitada
2020/11/26
ISSN online
1745-1353
DOI
10.1587/transele.2020ECP5034
Tipo de Manuscrito
PAPER
Categoria
Materiais eletrônicos

autores

Kazuki YOSHIDA
  Yamagata University
Kentaro SAITO
  Yamagata University
Keito SOGAI
  Yamagata University
Masanori MIURA
  Yamagata University
Kensaku KANOMATA
  Yamagata University
Bashir AHMMAD
  Yamagata University
Shigeru KUBOTA
  Yamagata University
Fumihiko HIROSE
  Yamagata University

Palavra-chave