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Impedance Matching in High-Power Resonant-Tunneling-Diode Terahertz Oscillators Integrated with Rectangular-Cavity Resonator Correspondência de impedância em osciladores Terahertz de diodo ressonante de túnel ressonante de alta potência integrados com ressonador de cavidade retangular

Feifan HAN, Kazunori KOBAYASHI, Safumi SUZUKI, Hiroki TANAKA, Hidenari FUJIKATA, Masahiro ASADA

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Resumo:

Este artigo apresenta teoricamente que um oscilador terahertz (THz) usando um diodo de tunelamento ressonante (RTD) e uma cavidade retangular, que foi proposto anteriormente, pode irradiar alta potência de saída pelo casamento de impedância entre o RTD e a carga através de metal-isolante-metal ( MIM) capacitores. Com base em um modelo de circuito equivalente estabelecido, uma equação para a potência de saída foi deduzida. Ao alterar os capacitores MIM, um ponto de correspondência pode ser derivado para vários tamanhos de ressonadores de cavidade retangular. Os resultados da simulação mostram que alta potência de saída é possível em cavidades longas. Por exemplo, espera-se uma alta potência de saída de 5 mW em 1 THz.

Publicação
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E104-C No.8 pp.398-402
Data de publicação
2021/08/01
Publicitada
2021/01/15
ISSN online
1745-1353
DOI
10.1587/transele.2020ECS6020
Tipo de Manuscrito
BRIEF PAPER
Categoria
Materiais e dispositivos semicondutores

autores

Feifan HAN
  Tokyo Institute of Technology
Kazunori KOBAYASHI
  Tokyo Institute of Technology
Safumi SUZUKI
  Tokyo Institute of Technology
Hiroki TANAKA
  Tokyo Institute of Technology
Hidenari FUJIKATA
  Tokyo Institute of Technology
Masahiro ASADA
  Tokyo Institute of Technology

Palavra-chave