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Improved Resolution Enhancement Technique for Broadband Illumination in Flat Panel Display Lithography
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Técnica aprimorada de aprimoramento de resolução para iluminação de banda larga em litografia de tela plana

Kanji SUZUKI, Manabu HAKKO

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Resumo:

Na litografia de tela plana (FPD), são necessárias alta resolução e grande profundidade de foco (DOF). As demandas por alto rendimento exigiram o uso de grandes placas de vidro e áreas de exposição, aumentando assim a irregularidade focal e reduzindo a latitude do processo. Assim, é necessário um grande DOF, particularmente para litografia de alta resolução. Para fabricar futuros monitores de alta definição, prevê-se que sejam necessários 1.0 μm de linha e espaço (L/S), e é necessária uma técnica para atingir essa resolução com DOF adequado. Para melhorar a resolução e o DOF, foram introduzidas técnicas de aprimoramento de resolução (RETs). RETs como iluminação fora do eixo (OAI) e máscaras de mudança de fase (PSMs) têm sido amplamente utilizados em litografia de semicondutores, que utiliza iluminação de banda estreita. Para usar efetivamente RETs na litografia FPD, é necessária modificação para iluminação de banda larga porque a litografia FPD utiliza essa iluminação como luz de exposição. No entanto, até agora, os RETs para iluminação de banda larga não foram estudados. Este estudo teve como objetivo desenvolver técnicas para alcançar resolução de 1.0μm L/S com um DOF aceitável. Para tanto, este artigo propõe um método que combina nosso RET desenvolvido anteriormente, ou seja, iluminação de espectro dividido (DSI), com um PSM atenuado (Att. PSM). Observações teóricas e simulações apresentam o projeto de um PSM para iluminação de banda larga. A transmitância e a mudança de fase, cujo grau varia de acordo com o comprimento de onda, são determinadas em termos de contraste da imagem aérea e perda de resistência. O design do DSI para um Att. O PSM também é discutido considerando o contraste da imagem, DOF e intensidade de iluminação. Finalmente, os resultados de exposição de 1.0 μm L/S usando técnicas DSI e PSM são mostrados, demonstrando que um PSM melhora muito o perfil de resistência, e o DSI aumenta o DOF em aproximadamente 30% em comparação com o OAI convencional. Assim, DSI e PSMs podem ser usados ​​em aplicações práticas para atingir 1.0μm L/S com DOF suficiente.

Publicação
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E105-C No.2 pp.59-67
Data de publicação
2022/02/01
Publicitada
2021/08/17
ISSN online
1745-1353
DOI
10.1587/transele.2021DII0004
Tipo de Manuscrito
Special Section INVITED PAPER (Special Section on Electronic Displays)
Categoria

autores

Kanji SUZUKI
  Canon Inc.
Manabu HAKKO
  Canon Inc.

Palavra-chave