A funcionalidade de pesquisa está em construção.
A funcionalidade de pesquisa está em construção.

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. ex. Some numerals are expressed as "XNUMX".
Copyrights notice

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. Copyrights notice

Stochastic Modeling and Local CD Uniformity Comparison between Negative Metal-Based, Negative- and Positive-Tone Development EUV Resists Modelagem Estocástica e Comparação de Uniformidade de CD Local entre Resistências EUV Baseadas em Metal Negativo, Tons Negativos e Positivos

Itaru KAMOHARA, Ulrich WELLING, Ulrich KLOSTERMANN, Wolfgang DEMMERLE

  • Exibições de texto completo

    0

  • Cite isto

Resumo:

Este artigo apresenta um estudo de simulação do comportamento de impressão de três diferentes sistemas resistentes EUV. Modelos estocásticos para resistência negativa à base de metal e resistência convencional amplificada quimicamente (CAR) foram calibrados e depois validados. Quanto ao CAR de desenvolvimento de tom negativo (NTD), partimos de um CAR de desenvolvimento de tom positivo (PTD) calibrado (material) e modelos de desenvolvimento de NTD, uma vez que medições de última geração não estão disponíveis. Um estudo conceitual entre PTD CAR e NTD CAR mostra que a flutuação estocástica do inibidor difere para PTD CAR: o nível do inibidor apresenta pequena flutuação (desenvolvimento de Mack). Para DTN CAR, a flutuação do inibidor depende do tipo de DTN, que é definido pela categorização da diferença entre os limiares de desenvolvimento de DTN e de DPT. Os respectivos tipos de DTN têm diferentes níveis de concentração de inibidor. Além disso, a impressão do furo de contato entre o negativo à base de metal e o NTD CAR foi comparada para esclarecer a janela do processo estocástico (PW) para máscara de tom invertido. Para última comparação, a imagem aérea (AI) e o efeito do elétron secundário são comparáveis. Finalmente, a uniformidade local do CD (LCDU) para o mesmo tamanho de 20 nm e furo de contato de passo de 40 nm foi comparada entre as três resistências diferentes. O comportamento dependente da dose de LCDU e PW estocástico para NTD foi diferente para o PTD CAR e a resistência à base de metal. Para NTD CAR, foram observados pequenos níveis de inibidor e grandes flutuações de inibidor em torno do limiar de desenvolvimento, causando aumento de LCDU, que é específico para a resistência inversa ao desenvolvimento de Mack.

Publicação
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E105-C No.1 pp.35-46
Data de publicação
2022/01/01
Publicitada
2021/08/06
ISSN online
1745-1353
DOI
10.1587/transele.2021ECP5010
Tipo de Manuscrito
PAPER
Categoria
Materiais e dispositivos semicondutores

autores

Itaru KAMOHARA
  
Ulrich WELLING
  Synopsys GmbH
Ulrich KLOSTERMANN
  Synopsys GmbH
Wolfgang DEMMERLE
  Synopsys GmbH

Palavra-chave