A funcionalidade de pesquisa está em construção.
A funcionalidade de pesquisa está em construção.

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. ex. Some numerals are expressed as "XNUMX".
Copyrights notice

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. Copyrights notice

Open Access
X-Band GaN Chipsets for Cost-Effective 20W T/R Modules
Abra o Access
Chipsets GaN de banda X para módulos T/R de 20 W econômicos

Jun KAMIOKA, Yoshifumi KAWAMURA, Ryota KOMARU, Masatake HANGAI, Yoshitaka KAMO, Tetsuo KODERA, Shintaro SHINJO

  • Exibições de texto completo

    115

  • Cite isto
  • Free PDF (3MB)

Resumo:

Este artigo relata chipsets de nitreto de gálio (GaN) de banda X para módulos de transmissão-recepção (T/R) econômicos de 20 W. Os componentes do chipset incluem um amplificador de driver (DA) de circuito integrado de micro-ondas monolítico GaN-on-Si (MMIC), um amplificador de alta potência GaN-on-SiC (HPA) com circuitos correspondentes de GaAs, um GaN-on-Si HPA de alto ganho com um circuito de correspondência de saída GaAs e um switch MMIC (SW) GaN-on-Si. Utilizando a combinação de DA ou HPA único de alto ganho, as configurações de dois tipos de módulos T/R podem ser realizadas. O GaN-on-Si MMIC DA demonstra uma potência de saída de 6.4-7.4W, um ganho associado de 22.3-24.6dB e uma eficiência de potência adicionada (PAE) de 32-36% em 9.0-11.0GHz. Um GaN-on-SiC HPA com circuitos correspondentes de GaAs exibiu uma potência de saída de 20-28W, ganho associado de 7.8-10.7dB e um PAE de 40-56% em 9.0-11.0GHz. O GaN-on-Si HPA de alto ganho com um circuito de correspondência de saída GaAs exibe uma potência de saída de 15-30W, ganho associado de 27-30dB e PAE de 26-33% em 9.0-11.0GHz. O switch MMIC GaN-on-Si demonstra perdas de inserção de 1.1-1.3dB e isolamento de 10.1-14.7dB em 8.0-11.5GHz. Ao empregar configurações de circuito econômicas, os custos desses chipsets são estimados em cerca de metade dos custos dos chipsets convencionais.

Publicação
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E105-C No.5 pp.194-202
Data de publicação
2022/05/01
Publicitada
2021/12/10
ISSN online
1745-1353
DOI
10.1587/transele.2021ECP5024
Tipo de Manuscrito
PAPER
Categoria
Circuitos eletrônicos

autores

Jun KAMIOKA
  Mitsubishi Electric Corporation
Yoshifumi KAWAMURA
  Mitsubishi Electric Corporation
Ryota KOMARU
  Mitsubishi Electric Corporation
Masatake HANGAI
  Mitsubishi Electric Corporation
Yoshitaka KAMO
  Mitsubishi Electric Corporation
Tetsuo KODERA
  Tokyo Institute of Technology
Shintaro SHINJO
  Mitsubishi Electric Corporation

Palavra-chave